R6022YNZ4C13
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R6022YNZ4C13
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6025JNZ4C13

Numéro de produit DigiKey
R6025JNZ4C13-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
R6025JNZ4C13
Description
MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
18 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 25 A (Tc) 306W (Tc) Trou traversant TO-247G
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
25 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V
Rds On (max.) à Id, Vgs
182 mohms à 12,5A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id
7V à 4,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1900 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
306W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247G
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
R6025
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 597
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
114,61000 $14,61 $
308,62633 $258,79 $
1207,31383 $877,66 $
5106,67839 $3 405,98 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.