Name: R6012JNJGTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6012JNJGTLTR-ND
Price: 7.28 CAD
Availability: InStock

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R6012JNJGTL
Numéro de produit DigiKey	R6012JNJGTLTR-ND - Bande et bobine R6012JNJGTLCT-ND - Bande coupée (CT) R6012JNJGTLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	R6012JNJGTL
Description	MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 12 A (Tc) 160W (Tc) Montage en surface LPTS
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 7V à 2,5mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 15 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 900 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 160W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)	Boîtier fournisseur LPTS
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 390 mohms à 6A, 15V	Numéro de produit de base R6012

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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