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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
R6006ANDTL | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 846-R6006ANDTLTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | R6006ANDTL |
Description | MOSFET N-CH 600V 6A CPT |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 6 A (Tc) 40W (Tc) Montage en surface CPT3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | R6006ANDTL Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Date de dernière disponibilité | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 460 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 40W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur CPT3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2ohms à 3A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (13)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| R6007END3TL1 | Rohm Semiconductor | 1 011 | 846-R6007END3TL1CT-ND | 4,74000 $ | Recommandation fabricant |
| IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3 984 | IPD60R950C6ATMA1CT-ND | 2,49000 $ | Similaire |
| STD7NM60N | STMicroelectronics | 10 966 | 497-11042-1-ND | 4,79000 $ | Similaire |
| STD9N80K5 | STMicroelectronics | 0 | STD9N80K5-ND | 1,62961 $ | Similaire |
| TK5P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 3 664 | TK5P60WRVQCT-ND | 5,02000 $ | Similaire |
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Dernière disponibilité
Date de dernière disponibilité : 2027-03-31
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,60168 $ | 4 004,20 $ |
