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Canal N 500 V 7 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant TO-220FM
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R5007FNX

Numéro de produit DigiKey
R5007FNX-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
R5007FNX
Description
MOSFET N-CH 500V 7A TO220FM
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 7 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
R5007FNX Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1mA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
15 nC @ 10 V
Conditionnement
En vrac
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
450 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-220FM
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,3ohms à 3,5A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
R6007JNXC7GRohm Semiconductor2 005R6007JNXC7G-ND5,71000 $Similaire
TK6A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and Storage0TK6A53D(STA4QM)-ND3,36000 $Similaire
Disponible sur commande
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Non recommandé pour une nouvelle conception, des quantités minimum peuvent s'appliquer. Voir Produits de substitution.
Tous les prix sont en CAD
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
5001,32774 $663,87 $
Conditionnement standard du fabricant