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QS8J12TCR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | QS8J12TCR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | QS8J12TCR |
Description | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 12V 4,5A 550mW Montage en surface TSMT8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA |
Fabricant Rohm Semiconductor | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40nC à 4,5V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4200pF à 6V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Puissance - Max. 550mW |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux P (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 1,5V | Boîtier 8-SMD, broches plates |
Tension drain-source (Vdss) 12V | Boîtier fournisseur TSMT8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,5A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 29mohms à 4,5A, 4,5V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| QS8J13TR | Rohm Semiconductor | 11 018 | QS8J13CT-ND | 2,05000 $ | Similaire |
| ECH8654-TL-H | onsemi | 154 | 869-1159-1-ND | 1,93000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,53840 $ | 1 615,20 $ |



