Name: QS8J13TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J13TR-ND
Price: 1.86 CAD
Availability: InStock

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QS8J13TR
Numéro de produit DigiKey	QS8J13TR-ND - Bande et bobine QS8J13CT-ND - Bande coupée (CT) QS8J13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	QS8J13TR
Description	MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 12V 5,5A 1,25W Montage en surface TSMT8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,5A
Rds On (max.) à Id, Vgs	22mohms à 5,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6300pF à 6V
Puissance - Max.	1,25W
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SMD, broches plates
Boîtier fournisseur	TSMT8
Numéro de produit de base	QS8J13