Canal N 1200 V 600 A (Tc) 2460W (Tc) Montage sur châssis Module
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Canal N 1200 V 600 A (Tc) 2460W (Tc) Montage sur châssis Module
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM600C12P3G201

Numéro de produit DigiKey
BSM600C12P3G201-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BSM600C12P3G201
Description
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 600 A (Tc) 2460W (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
BSM600C12P3G201 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs (max.)
+22V, -4V
Fabricant
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
28000 pF @ 10 V
Conditionnement
Plateau
Dissipation de puissance (max.)
2460W (Tc)
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de FET
Type de montage
Montage sur châssis
Technologies
Boîtier fournisseur
Module
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Boîtier
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Numéro de produit de base
Vgs(th) (max.) à Id
5,6V à 182mA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Disponible sur commande
Ce produit n'est pas maintenu en stock chez DigiKey. Le délai d'approvisionnement indiqué s'applique à l'expédition du fabricant à DigiKey. À réception du produit, DigiKey procédera à l'expédition pour satisfaire les commandes en cours.
Non recommandé pour une nouvelle conception, des quantités minimum peuvent s'appliquer.
Tous les prix sont en CAD
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
41 848,09250 $7 392,37 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.