TPH3206LSB Renesas Electronics Corporation | FET, MOSFET simples

TPH3206LSB est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Renesas Electronics Corporation

En stock: 2 366

Prix unitaire : 7,79000 $

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TPH3206LSB
Numéro de produit DigiKey	TPH3206LSB-ND
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	TPH3206LSB
Description	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 16 A (Tc) 81W (Tc) Montage en surface 3-PQFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 500µA
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±18V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 720 pF @ 480 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 81W (Tc)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16 A (Tc)	Boîtier fournisseur 3-PQFN (8x8)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 3-PowerDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 10A, 8V