Name: RBE015N10R1SZPV#GB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE015N10R1SZPV#GB0TR-ND
Price: 8.33 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

Canal N 100 V 340 A (Tc) 468W (Tc) Montage en surface TOLG

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RBE015N10R1SZPV#GB0
Numéro de produit DigiKey	559-RBE015N10R1SZPV#GB0TR-ND - Bande et bobine 559-RBE015N10R1SZPV#GB0CT-ND - Bande coupée (CT) 559-RBE015N10R1SZPV#GB0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	RBE015N10R1SZPV#GB0
Description	MOSFET N-CH 100V 340A TOLG
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 340 A (Tc) 468W (Tc) Montage en surface TOLG
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 170 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13000 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 468W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 340 A (Tc)	Boîtier fournisseur TOLG
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerSMD, papillon
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5mohms à 100A, 10V