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TO-252-3
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NP90N03VHG-E1-AY

Numéro de produit DigiKey
NP90N03VHG-E1-AY-ND - Bande et bobine
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant
NP90N03VHG-E1-AY
Description
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 90 A (Tc) 1,2W (Ta), 105W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NP90N03VHG-E1-AY Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
90 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,2mohms à 45A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
7500 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,2W (Ta), 105W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
NP90N03
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