Name: NP75N04YLG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP75N04YLG-E1-AYTR-ND
Price: 4.35 CAD
Availability: InStock

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NP75N04YLG-E1-AY
Numéro de produit DigiKey	559-NP75N04YLG-E1-AYTR-ND - Bande et bobine 559-NP75N04YLG-E1-AYCT-ND - Bande coupée (CT) 559-NP75N04YLG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	NP75N04YLG-E1-AY
Description	ABU / MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 75 A (Ta) 138W (Ta) Montage en surface 8-HSON (5x5,4)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	75 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,8mohms à 38A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	116 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6450 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	138W (Ta)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSON (5x5,4)
Boîtier	8-PowerLDFN