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ISL6625AIRZ-T est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
Recommandation fabricant
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
ISL6625AIRZ-T | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | ISL6625AIRZ-T-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ISL6625AIRZ-T |
Description | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN |
Référence client | |
Description détaillée | Demi-pont Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-DFN (2x2) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | ISL6625AIRZ-T Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Sortie de crête (source, absorption) -, 3 A |
Fabricant Renesas Electronics Corporation | Type d'entrée Sans inversion |
Conditionnement Bande et bobine | Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice) 36 V |
Statut du composant Obsolète | Temps de montée / descente (typ.) 31ns, 18ns |
Programmable DigiKey Non vérifié | Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ) |
Configuration Demi-pont | Type de montage Montage en surface |
Type de canal Synchrone | Boîtier 8-VFDFN plot exposé |
Nombre de circuits d'attaque 2 | Boîtier fournisseur 8-DFN (2x2) |
Type de grille MOSFET (canal N) | Numéro de produit de base |
Tension - Alimentation 5,5V ~ 13,2V |
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Ressources supplémentaires
Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ISL6625ACRZ-T | Renesas Electronics Corporation | 3 743 | 20-ISL6625ACRZ-TCT-ND | 5,11000 $ | Recommandation fabricant |
Obsolète
