PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. | Produits semi-conducteurs discrets

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PJD1NA50_L2_00001
Numéro de produit DigiKey	3757-PJD1NA50_L2_00001TR-ND - Bande et bobine 3757-PJD1NA50_L2_00001CT-ND - Bande coupée (CT) 3757-PJD1NA50_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Panjit International Inc.
Numéro de produit du fabricant	PJD1NA50_L2_00001
Description	500V N-CHANNEL MOSFET
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 1 A (Ta) 25W (Tc) Montage en surface TO-252AA

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Panjit International Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	95 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	25W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	PJD1NA50