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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
UJ3D1210TS | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 5556-UJ3D1210TS-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | UJ3D1210TS |
Description | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220 |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 1200 V 10A Trou traversant TO-220-2 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 110 µA @ 1200 V |
Conditionnement Tube | Capacité à Vr, F 510pF à 1V, 1MHz |
Statut du composant Date de dernière disponibilité | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1200 V | Boîtier fournisseur TO-220-2 |
Courant - Moyen redressé (Io) 10A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.6 V @ 10 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Temps de récupération nul > 500mA (Io) |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FFSP10120A | onsemi | 649 | 5556-FFSP10120A-ND | 11,63000 $ | Recommandation fabricant |
| VS-4C10ET12T-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 910 | 112-VS-4C10ET12T-M3-ND | 7,58000 $ | Équivalent paramétrique |
| VS-4C10ET12THM3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 998 | 112-VS-4C10ET12THM3-ND | 8,39000 $ | Équivalent paramétrique |
| WNSC2D1012006Q | WeEn Semiconductors | 0 | 1740-WNSC2D1012006Q-ND | 0,92285 $ | Équivalent paramétrique |
En stock: 9 401
Date de dernière disponibilité : 2026-06-20
En raison de contraintes d'approvisionnement temporaires, DigiKey ne peut actuellement pas accepter les livraisons différées.
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 12,18000 $ | 12,18 $ |
| 50 | 6,64700 $ | 332,35 $ |
| 100 | 6,54090 $ | 654,09 $ |
