Name: NVTFS5116PLWFTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVTFS5116PLWFTWGTR-ND
Price: 3.04 CAD
Availability: InStock

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NVTFS5116PLWFTWG
Numéro de produit DigiKey	488-NVTFS5116PLWFTWGTR-ND - Bande et bobine 488-NVTFS5116PLWFTWGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVTFS5116PLWFTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVTFS5116PLWFTWG
Description	MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 6 A (Ta) 3,2W (Ta), 21W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVTFS5116PLWFTWG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	52mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1258 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,2W (Ta), 21W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-WDFN (3,3x3,3)
Boîtier	8-PowerWDFN
Numéro de produit de base	NVTFS5116