Name: NVMYS8D0N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMYS8D0N04CTWGOSTR-ND
Price: 2.22 CAD
Availability: InStock

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NVMYS8D0N04CTWG
Numéro de produit DigiKey	NVMYS8D0N04CTWGOSTR-ND - Bande et bobine NVMYS8D0N04CTWGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMYS8D0N04CTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMYS8D0N04CTWG
Description	MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 16A (Ta), 49A (Tc) 3,8W (Ta), 38W (Tc) Montage en surface LFPAK4 (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	16A (Ta), 49A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8,1mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 30µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	625 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 38W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	LFPAK4 (5x6)
Boîtier	SOT-1023, 4-LFPAK
Numéro de produit de base	NVMYS8