Name: NVMYS2D9N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS2D9N04CLTWGTR-ND
Price: 2.8 CAD
Availability: InStock

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NVMYS2D9N04CLTWG
Numéro de produit DigiKey	488-NVMYS2D9N04CLTWGTR-ND - Bande et bobine 488-NVMYS2D9N04CLTWGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMYS2D9N04CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMYS2D9N04CLTWG
Description	MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	31 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 27A (Ta), 110A (Tc) 3,7W (Ta), 68W (Tc) Montage en surface LFPAK4 (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	27A (Ta), 110A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,8mohms à 40A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 60µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2100 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,7W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	LFPAK4 (5x6)
Boîtier	SOT-1023, 4-LFPAK
Numéro de produit de base	NVMYS2