Name: NVMJS2D5N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMJS2D5N06CLTWGOSTR-ND
Price: 3.82 CAD
Availability: OutOfStock

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Équivalent paramétrique

onsemi

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Prix unitaire : 3,62000 $

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NVMJS2D5N06CLTWG
Numéro de produit DigiKey	NVMJS2D5N06CLTWGOSTR-ND - Bande et bobine NVMJS2D5N06CLTWGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMJS2D5N06CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMJS2D5N06CLTWG
Description	MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 31A (Ta), 164A (Tc) 3,9W (Ta), 113W (Tc) Montage en surface 8-LFPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMJS2D5N06CLTWG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	31A (Ta), 164A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,4mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 135µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3600 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,9W (Ta), 113W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-LFPAK
Boîtier	SOT-1205, 8-LFPAK56
Numéro de produit de base	NVMJS2