Name: NVMJS1D4N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJS1D4N06CLTWGTR-ND
Price: 6.3 CAD
Availability: InStock

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NVMJS1D4N06CLTWG
Numéro de produit DigiKey	488-NVMJS1D4N06CLTWGTR-ND - Bande et bobine 488-NVMJS1D4N06CLTWGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMJS1D4N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMJS1D4N06CLTWG
Description	MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 39A (Ta), 262A (Tc) 4W (Ta), 180W (Tc) Montage en surface 8-LFPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 103 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7430 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 4W (Ta), 180W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 39A (Ta), 262A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur 8-LFPAK
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,3mohms à 50A, 10V	Boîtier SOT-1205, 8-LFPAK56
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 280µA	Numéro de produit de base NVMJS1

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Documents et supports

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Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	1,95975 $	5 879,25 $

Conditionnement standard du fabricant

NVMJS1D4N06CLTWG