Name: NVMFS6H852NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND
Price: 2.19 CAD
Availability: InStock

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NVMFS6H852NLWFT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NVMFS6H852NLWFT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMFS6H852NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS6H852NLWFT1G
Description	MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 11 A (Ta), 42 A (Tc) 3,6W (Ta), 54W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Ta), 42 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	13,1mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 45µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	906 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,6W (Ta), 54W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NVMFS6