Name: NVMFS6H818NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS6H818NT1GOSTR-ND
Price: 5.87 CAD
Availability: InStock

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NVMFS6H818NT1G
Numéro de produit DigiKey	NVMFS6H818NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NVMFS6H818NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMFS6H818NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS6H818NT1G
Description	MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 20 A (Ta), 123 A (Tc) 3,8W (Ta), 136W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMFS6H818NT1G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 46 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3100 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 136W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Ta), 123 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,7mohms à 20A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN, 5 sorties
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 190µA	Numéro de produit de base NVMFS6

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 2 110

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1 500	1,81490 $	2 722,35 $
3 000	1,78167 $	5 345,01 $

Conditionnement standard du fabricant

NVMFS6H818NT1G