Name: NVD5117PLT4G-VF01
Brand: onsemi
SKU: NVD5117PLT4G-VF01TR-ND
Price: 5.46 CAD
Availability: InStock

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NVD5117PLT4G-VF01
Numéro de produit DigiKey	NVD5117PLT4G-VF01TR-ND - Bande et bobine NVD5117PLT4G-VF01CT-ND - Bande coupée (CT) NVD5117PLT4G-VF01DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVD5117PLT4G-VF01
Description	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 11 A (Ta), 61 A (Tc) 4,1W (Ta), 118W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Ta), 61 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	16mohms à 29A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4800 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	4,1W (Ta), 118W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	NVD5117