Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 4.38 CAD
Availability: InStock

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NTTFS1D2N02P1E
Numéro de produit DigiKey	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - Bande et bobine 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTTFS1D2N02P1E
Description	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTTFS1D2N02P1E Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	23A (Ta), 180A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1mohms à 38A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 934µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	24 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	+16V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4040 pF @ 13 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	820mW (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-PQFN (3,3x3,3)
Boîtier	8-PowerWDFN
Numéro de produit de base	NTTFS1