Name: NTT2012N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTT2012N065M3STR-ND
Price: 19.64 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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NTT2012N065M3S
Numéro de produit DigiKey	5556-NTT2012N065M3STR-ND - Bande et bobine 5556-NTT2012N065M3SCT-ND - Bande coupée (CT) 5556-NTT2012N065M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTT2012N065M3S
Description	ELITESIC, 12 MOHM, 650 V, M3S,T2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 112 A (Tc) 429W (Tc) Montage en surface T2PAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 20mA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 135 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +22V, -10V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3610 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 429W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 112 A (Tc)	Boîtier fournisseur T2PAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), variante
Rds On (max.) à Id, Vgs 16,8mohms à 40A, 18V