Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 10.84 CAD
Availability: InStock

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NTMTSC1D6N10MCTXG
Numéro de produit DigiKey	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Bande et bobine 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMTSC1D6N10MCTXG
Description	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta), 291W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 8-TDFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTMTSC1D6N10MCTXG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,7mohms à 90A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 650µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7630 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5,1W (Ta), 291W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	8-TDFNW (8,3x8,4)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	NTMTSC1