Name: NTMTS001N06CTXG
Brand: onsemi
SKU: NTMTS001N06CTXGOSTR-ND
Price: 6.76 CAD
Availability: InStock

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NTMTS001N06CTXG
Numéro de produit DigiKey	NTMTS001N06CTXGOSTR-ND - Bande et bobine NTMTS001N06CTXGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTMTS001N06CTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMTS001N06CTXG
Description	MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	43 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 53,7A (Ta), 376A (Tc) 5W (Ta), 244W (Tc) Montage en surface 8-DFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 113 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8705 pF @ 30 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 244W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 53,7A (Ta), 376A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-DFNW (8,3x8,4)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,91mohms à 50A, 10V	Numéro de produit de base NTMTS001