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NVMFS6H800NLT1G
onsemi
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Prix unitaire : 8,85000 $
Fiche technique
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Canal N 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 3,9W (Ta), 214W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NTMFS6H800NLT1G

Numéro de produit DigiKey
488-NTMFS6H800NLT1GTR-ND - Bande et bobine
488-NTMFS6H800NLT1GCT-ND - Bande coupée (CT)
488-NTMFS6H800NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTMFS6H800NLT1G
Description
MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 3,9W (Ta), 214W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTMFS6H800NLT1G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30A (Ta), 224A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,9mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 330µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6900 pF @ 40 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,9W (Ta), 214W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier
8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base
NTMFS6
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
16,44000 $6,44 $
104,22700 $42,27 $
1002,96570 $296,57 $
5002,46952 $1 234,76 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 5002,02444 $3 036,66 $
3 0002,01758 $6 052,74 $
Conditionnement standard du fabricant
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