Canal N 30 V 11,9 A (Ta), 78 A (Tc) 770mW (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NTMFS4C55NT1G

Numéro de produit DigiKey
488-NTMFS4C55NT1GTR-ND - Bande et bobine
488-NTMFS4C55NT1GCT-ND - Bande coupée (CT)
488-NTMFS4C55NT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTMFS4C55NT1G
Description
MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
48 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 11,9 A (Ta), 78 A (Tc) 770mW (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTMFS4C55NT1G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
11,9 A (Ta), 78 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,4mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1972 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
770mW (Ta), 33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier
8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base
NTMFS4
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En stock: 1 907
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
11,38000 $1,38 $
100,85900 $8,59 $
1000,55560 $55,56 $
5000,42492 $212,46 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 5000,33770 $506,55 $
3 0000,30775 $923,25 $
4 5000,29248 $1 316,16 $
7 5000,27533 $2 064,98 $
10 5000,26517 $2 784,29 $
15 0000,25529 $3 829,35 $
Conditionnement standard du fabricant