Canal N 30 V 13 A (Ta), 93 A (Tc) 930mW (Ta), 48W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NTMFS4935NCT1G

Numéro de produit DigiKey
NTMFS4935NCT1G-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTMFS4935NCT1G
Description
MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 13 A (Ta), 93 A (Tc) 930mW (Ta), 48W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTMFS4935NCT1G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
13 A (Ta), 93 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,2mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
49.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4850 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
930mW (Ta), 48W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier
8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base
NTMFS4935
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