NTMFS4833NST3G est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Canal N 30 V 16 A (Ta), 156 A (Tc) 900mW (Ta), 86,2W (Tc) Montage en surface SO-8FL
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 30 V 16 A (Ta), 156 A (Tc) 900mW (Ta), 86,2W (Tc) Montage en surface SO-8FL
8-PowerTDFN

NTMFS4833NST3G

Numéro de produit DigiKey
NTMFS4833NST3G-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NTMFS4833NST3G
Description
MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 16 A (Ta), 156 A (Tc) 900mW (Ta), 86,2W (Tc) Montage en surface SO-8FL
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTMFS4833NST3G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,2mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
86 nC @ 11.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5250 pF @ 12 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
900mW (Ta), 86,2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
SO-8FL
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.
Non annulable/Non remboursable