NTHL080N120SC1 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NTHL080N120SC1
Numéro de produit DigiKey	NTHL080N120SC1OS-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTHL080N120SC1
Description	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 44 A (Tc) 348W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTHL080N120SC1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	44 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	110mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	4,3V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1670 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	348W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	NTHL080