Name: NTH4L075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L075N065SC1-ND
Price: 15.87 CAD
Availability: InStock

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NTH4L075N065SC1
Numéro de produit DigiKey	5556-NTH4L075N065SC1-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTH4L075N065SC1
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 38 A (Tc) 148W (Tc) Trou traversant TO-247-4L
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	38 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	85mohms à 15A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,3V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	61 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1196 pF @ 325 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	148W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4L
Boîtier	TO-247-4
Numéro de produit de base	NTH4L075

Questions et réponses sur les produits

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En stock: 414

Stock usine : 450

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	15,87000 $	15,87 $
30	9,43767 $	283,13 $
120	8,02700 $	963,24 $
510	7,44543 $	3 797,17 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.