Canal N 1200 V 73 A (Tc) 313W (Tc) Trou traversant TO-247-4L
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Canal N 1200 V 73 A (Tc) 313W (Tc) Trou traversant TO-247-4L
TO-247-4

NTH4L030N120M3S

Numéro de produit DigiKey
5556-NTH4L030N120M3S-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTH4L030N120M3S
Description
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 73 A (Tc) 313W (Tc) Trou traversant TO-247-4L
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
73 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
39mohms à 30A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4,4V à 15mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2430 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
313W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-4L
Boîtier
TO-247-4
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En stock: 925
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
122,08000 $22,08 $
3013,38767 $401,63 $
12011,48192 $1 377,83 $
51010,36120 $5 284,21 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.