Name: NTH4L030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L030N120M3S-ND
Price: 19.81 CAD
Availability: InStock

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NTH4L030N120M3S
Numéro de produit DigiKey	5556-NTH4L030N120M3S-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTH4L030N120M3S
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 73 A (Tc) 313W (Tc) Trou traversant TO-247-4L
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	73 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	39mohms à 30A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,4V à 15mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2430 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	313W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4L
Boîtier	TO-247-4

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En stock: 638

Stock usine : 344 250

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	19,81000 $	19,81 $
30	12,00967 $	360,29 $
120	10,30050 $	1 236,06 $
510	9,94571 $	5 072,31 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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