NTGS3130NT1G onsemi | FET, MOSFET simples

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NTGS3130NT1G
Numéro de produit DigiKey	NTGS3130NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTGS3130NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTGS3130NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTGS3130NT1G
Description	MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 4,23 A (Ta) 600mW (Ta) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTGS3130NT1G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20.3 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 935 pF @ 16 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 600mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,23 A (Ta)	Boîtier fournisseur 6-TSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 5,6A, 4,5V	Numéro de produit de base NTGS3130

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (5)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDC637BNZ	onsemi	11 152	FDC637BNZCT-ND	1,16000 $	Recommandation fabricant
FDC637AN	onsemi	11 669	FDC637ANCT-ND	1,89000 $	Similaire
RUQ050N02TR	Rohm Semiconductor	2 782	RUQ050N02CT-ND	1,85000 $	Similaire
SI3442BDV-T1-E3	Vishay Siliconix	96	SI3442BDV-T1-E3CT-ND	1,37000 $	Similaire
SI3460DDV-T1-GE3	Vishay Siliconix	9 763	SI3460DDV-T1-GE3CT-ND	1,09000 $	Similaire

En stock: 846

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Quantité

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Bande coupée (CT)

Digi-Reel®

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