Name: NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 488-NTBL023N065M3S-ND
Price: 24.33 CAD
Availability: InStock

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NTBL023N065M3S
Numéro de produit DigiKey	488-NTBL023N065M3S-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTBL023N065M3S
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 77 A (Tc) 312W (Tc) Montage en surface 8-HPSOF
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 10mA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 69 nC @ 18 V
Conditionnement En vrac	Vgs (max.) +22V, -8V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1950 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 312W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 77 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HPSOF
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Boîtier 8-PowerSFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 32,6mohms à 20A, 18V