Name: NTBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG070N120M3STR-ND
Price: 13.37 CAD
Availability: InStock

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NTBG070N120M3S
Numéro de produit DigiKey	5556-NTBG070N120M3STR-ND - Bande et bobine 5556-NTBG070N120M3SCT-ND - Bande coupée (CT) 5556-NTBG070N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTBG070N120M3S
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 36 A (Tc) 172W (Tc) Montage en surface D2PAK-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,4V à 7mA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 57 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +22V, -10V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1230 pF @ 800 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 172W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 36 A (Tc)	Boîtier fournisseur D2PAK-7
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 87mohms à 15A, 18V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMWSH120H90SCT7	Diodes Incorporated	0	31-DMWSH120H90SCT7-ND	8,00440 $	Similaire

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
800	5,42073 $	4 336,58 $
1 600	5,37872 $	8 605,95 $

Conditionnement standard du fabricant

NTBG070N120M3S