Name: NTBG040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG040N120M3STR-ND
Price: 17.36 CAD
Availability: InStock

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NTBG040N120M3S
Numéro de produit DigiKey	5556-NTBG040N120M3STR-ND - Bande et bobine 5556-NTBG040N120M3SCT-ND - Bande coupée (CT) 5556-NTBG040N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTBG040N120M3S
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 57 A (Tc) 263W (Tc) Montage en surface D2PAK-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,4V à 10mA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 75 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +22V, -10V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1700 pF @ 800 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 263W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57 A (Tc)	Boîtier fournisseur D2PAK-7
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 54mohms à 20A, 18V	Numéro de produit de base NTBG040