Name: NTBG020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG020N090SC1TR-ND
Price: 42.45 CAD
Availability: InStock

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NTBG020N090SC1
Numéro de produit DigiKey	5556-NTBG020N090SC1TR-ND - Bande et bobine 5556-NTBG020N090SC1CT-ND - Bande coupée (CT) 5556-NTBG020N090SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTBG020N090SC1
Description	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 900 V 9,8A (Ta), 112A (Tc) 3,7W (Ta), 477W (Tc) Montage en surface D2PAK-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTBG020N090SC1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,8A (Ta), 112A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	28mohms à 60A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	4,3V à 20mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	200 nC @ 15 V
Vgs (max.)	+19V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4415 pF @ 450 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,7W (Ta), 477W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base	NTBG020