
NCP5181DR2G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | NCP5181DR2GOSTR-ND - Bande et bobine NCP5181DR2GOSCT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NCP5181DR2G |
Description | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
Référence client | |
Description détaillée | Demi-pont Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | NCP5181DR2G Modèles |
Catégorie | Tension logique - VIL, VIH 0,8V, 2,3V |
Fabricant onsemi | Courant - Sortie de crête (source, absorption) 1,4 A, 2,2 A |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Type d'entrée Sans inversion |
Statut du composant Obsolète | Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice) 600 V |
Programmable DigiKey Non vérifié | Temps de montée / descente (typ.) 40ns, 20ns |
Configuration Demi-pont | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de canal Indépendant | Type de montage Montage en surface |
Nombre de circuits d'attaque 2 | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Type de grille MOSFET (canal N) | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Tension - Alimentation 10V ~ 20V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| NCP51530ADR2G | onsemi | 7 018 | NCP51530ADR2GOSCT-ND | 2,08000 $ | Recommandation fabricant |
| NCP5183DR2G | onsemi | 11 298 | NCP5183DR2GOSCT-ND | 4,34000 $ | Recommandation fabricant |
| DGD2181S8-13 | Diodes Incorporated | 180 | DGD2181S8-13DICT-ND | 2,22000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,28000 $ | 3,28 $ |
| 10 | 2,42100 $ | 24,21 $ |
| 25 | 2,20800 $ | 55,20 $ |
| 100 | 1,97300 $ | 197,30 $ |
| 250 | 1,86092 $ | 465,23 $ |
| 500 | 1,79338 $ | 896,69 $ |
| 1 000 | 1,73779 $ | 1 737,79 $ |





