Canal N 200 V 6,8 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant TO-220F-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FQPF10N20

Numéro de produit DigiKey
FQPF10N20-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
FQPF10N20
Description
MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 6,8 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant TO-220F-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FQPF10N20 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
QFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
360mohms à 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
670 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220F-3
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
FQPF1
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué.
Non annulable/Non remboursable