FQD6N50CTM onsemi | FET, MOSFET simples

FQD6N50CTM est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

onsemi

En stock: 4 748

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FQD6N50CTM
Numéro de produit DigiKey	FQD6N50CTMTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQD6N50CTM
Description	MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 4,5 A (Tc) 2,5W (Ta), 61W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V
Série QFET®	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 700 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 61W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 500 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,5 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FQD6N50
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2ohms à 2,25A, 10V

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Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDD5N50NZTM	onsemi	4 748	FDD5N50NZTMCT-ND	2,66000 $	Recommandation fabricant
STD6N52K3	STMicroelectronics	2 500	497-10118-1-ND	3,00000 $	Similaire
TK7P50D(T6RSS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	1 876	264-TK7P50D(T6RSS-Q)CT-ND	3,80000 $	Similaire

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