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FQD5N20LTM | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FQD5N20LTMTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FQD5N20LTM |
Description | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 3,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 37W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 200 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 1,2ohms à 1,9A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 6.2 nC @ 5 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 325 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2,5W (Ta), 37W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-252AA | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |




