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FQD4N20TM est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FQD4N20TM | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FQD4N20TMFSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FQD4N20TM |
Description | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 3 A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FQD4N20TM Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.5 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 220 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 30W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 200 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,4ohms à 1,5A, 10V |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR210PBF | Vishay Siliconix | 12 415 | IRFR210PBF-ND | 3,19000 $ | Similaire |
| IRFR210TRLPBF | Vishay Siliconix | 4 361 | IRFR210TRLPBFCT-ND | 3,19000 $ | Similaire |
| IRFR210TRPBF | Vishay Siliconix | 6 271 | IRFR210PBFCT-ND | 3,19000 $ | Similaire |
| IRFR210TRRPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFR210TRRPBFCT-ND | 2,97000 $ | Similaire |
Obsolète
Stock de la marketplace : 90 000 Afficher
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