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FQB50N06TM est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FQB50N06TM | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FQB50N06TMFSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FQB50N06TM |
Description | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 50 A (Tc) 3,75W (Ta), 120W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±25V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1540 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 3,75W (Ta), 120W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 22mohms à 25A, 10V |
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Substituts (21)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| HUF75545S3ST | onsemi | 545 | HUF75545S3STCT-ND | 5,89000 $ | Similaire |
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | 6 727 | IRFS3806TRLPBFCT-ND | 3,76000 $ | Similaire |
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | 12 811 | IRFZ44NSTRLPBFCT-ND | 4,07000 $ | Similaire |
| IRFZ44SPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFZ44SPBF-ND | 5,82000 $ | Similaire |
| IRFZ44STRLPBF | Vishay Siliconix | 0 | 742-IRFZ44STRLPBFCT-ND | 5,82000 $ | Similaire |
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