Name: FQB19N20TM
Brand: onsemi
SKU: FQB19N20TMTR-ND
Price: 4.9 CAD
Availability: InStock

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FQB19N20TM
Numéro de produit DigiKey	FQB19N20TMTR-ND - Bande et bobine FQB19N20TMCT-ND - Bande coupée (CT) FQB19N20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQB19N20TM
Description	MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 19,4 A (Tc) 3,13W (Ta), 140W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQB19N20TM Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V
Série QFET®	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,13W (Ta), 140W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19,4 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FQB19N20
Rds On (max.) à Id, Vgs 150mohms à 9,7A, 10V