Canal N 900 V 11,4 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant TO-3P
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FQA11N90

Numéro de produit DigiKey
FQA11N90-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
FQA11N90
Description
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
Référence client
Description détaillée
Canal N 900 V 11,4 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant TO-3P
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FQA11N90 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
QFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
11,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
960mohms à 5,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3500 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-3P
Boîtier
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
FQA1
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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