FDPF16N50 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Recommandation fabricant


onsemi
En stock: 1 437
Prix unitaire : 5,87000 $
Fiche technique

Similaire


Panjit International Inc.
En stock: 2 000
Prix unitaire : 6,29000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 2,06893 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 903
Prix unitaire : 7,12000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 675
Prix unitaire : 8,15000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 695
Prix unitaire : 7,68000 $
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 99
Prix unitaire : 5,37000 $
Fiche technique
TO-220F-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDPF16N50

Numéro de produit DigiKey
FDPF16N50-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FDPF16N50
Description
MOSFET N-CH 500V 16A TO220F
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 16 A (Tc) 38,5W (Tc) Trou traversant TO-220F-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1945 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
38,5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220F-3
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.