Name: FDMS86322
Brand: onsemi
SKU: FDMS86322TR-ND
Price: 5.42 CAD
Availability: InStock

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FDMS86322
Numéro de produit DigiKey	FDMS86322TR-ND - Bande et bobine FDMS86322CT-ND - Bande coupée (CT) FDMS86322DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS86322
Description	MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 13 A (Ta), 60 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDMS86322 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3000 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 104W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur 8-PQFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Ta), 60 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base FDMS86
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,65mohms à 13A, 10V