Name: FDMS86150ET100
Brand: onsemi
SKU: FDMS86150ET100TR-ND
Price: 13.71 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDMS86150ET100
Numéro de produit DigiKey	FDMS86150ET100TR-ND - Bande et bobine FDMS86150ET100CT-ND - Bande coupée (CT) FDMS86150ET100DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS86150ET100
Description	MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 16 A (Ta), 128 A (Tc) 3,3W (Ta), 187W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 62 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4065 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,3W (Ta), 187W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 8-PQFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16 A (Ta), 128 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base FDMS86150
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,85mohms à 16A, 10V