Name: FDMS8018
Brand: onsemi
SKU: FDMS8018TR-ND
Price: 3.2 CAD
Availability: InStock

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FDMS8018
Numéro de produit DigiKey	FDMS8018TR-ND - Bande et bobine FDMS8018CT-ND - Bande coupée (CT) FDMS8018DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS8018
Description	MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 30 A (Ta), 120 A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDMS8018 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 61 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5235 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 83W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-PQFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Ta), 120 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDMS80
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,8mohms à 30A, 10V